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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 亚德诺(美信)

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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
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替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4V ~ 12.6V
输入类型：反相，非反相
丝印：
外壳：
封装：SOT-6
料号：P4-632
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥24.102900
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可供数量:咨询
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：8V ~ 12.6V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-693
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：8V ~ 12.6V
输入类型：反相，非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-696
包装： 100个/ 管件
参考价格:￥24.102900
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，7.6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:82ns，12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，3A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:125 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔
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通道类型：同步
驱动器数：2
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输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-TQFN（3x3）
料号：P4-707
包装： 100个/ 管件
参考价格:￥24.102900
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替代：
驱动配置：半桥
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输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-722
包装： 100个/ 管件
参考价格:￥24.102900
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电压 - 电源：4.5V ~ 18V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-CERDIP
料号：P4-729
包装： 50个/ 管件
参考价格:￥24.102900
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描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8CERDIP
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丝印：
外壳：
封装：8-CERDIP
料号：P4-731
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参考价格:￥24.102900
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外壳：
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参数： *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，7.6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:82ns，12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，3A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:125 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.2V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.2A，2.7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，8ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16.5V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:1.7µs，2.5µs 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
替代：
驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 18V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-CERDIP
料号：P4-736
包装： 50个/ 管件
参考价格:￥24.102900
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8UMAX
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，7.6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:82ns，12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，3A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:125 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.2V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.2A，2.7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，8ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16.5V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:1.7µs，2.5µs 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 14V 逻辑电压 :0.8V，2.1V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4V ~ 14V
输入类型：反相
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封装：8-uMAX-EP|8-uSOP-EP
料号：P4-759
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥24.102900
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可供数量:咨询
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8UMAX
参数： *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，7.6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:82ns，12.5ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，3A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:125 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.2V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.2A，2.7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，8ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 12.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:175 V 上升/下降时间（典型值）:65ns，65ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16.5V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:1.7µs，2.5µs 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 14V 逻辑电压 :0.8V，2.1V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 14V 逻辑电压 :0.8V，2.1V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4V ~ 14V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-uMAX-EP|8-uSOP-EP
料号：P4-760
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥24.102900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX17601AUA+T' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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